Dépôt de films de VO2 et fabrication de dispositifs RF à Palaiseau

QUI SOMMES-NOUS ?

Situé sur le campus de l’École polytechnique, au cœur du pôle scientifique et technologique d’envergure mondiale de Paris-Saclay, le site de Palaiseau regroupe les activités de Thales Research & Technology (TRT), le centre de recherche du Groupe, et de ThereSIS (THALES European REsearch center for Security & Information Systems) au service des activités mondiales du Groupe. Grâce à une politique de partenariat proactive avec le monde académique et un réseau international d’entreprises innovantes, nos équipes de recherche de TRT développent des technologies de rupture et celles de ThereSIS sont dédiées à la sécurisation des systèmes d’information, à l’ingénierie des systèmes complexes et aux technologies innovantes de la transformation numérique afin d’obtenir rapidement des résultats répondant à des demandes opérationnelles concrètes.

QUI ÊTES-VOUS ?

Vous êtes en 3ème année d’école d’ingénieur ou en 2ème année de master.

Vous possédez les compétences indispensables :

- Science des matériaux

- Connaissance des techniques de caractérisations

- Connaissance des techniques de microfabrication

Langues : Français et Anglais

CE QUE NOUS POUVONS ACCOMPLIR ENSEMBLE :

L’objectif de ce stage est de fabriquer des structures RF tout en exploitant les propriétés remarquables du VO2.

Dans le cadre du stage, l’étudiant travaillera sur le dépôt de VO2 par PLD, la caractérisation des couches minces et utilisera les techniques de microfabrication pour la réalisation de dispositifs RF.

DESCRIPTIF DES MISSIONS

 Le dioxyde de vanadium (VO2) est un matériau qui présente une transition de phase Isolant-Métal (IMT), il passe d’un état isolant à température ambiante à un état métallique à une température supérieure à 68°C. Cette transition est accompagnée de variations des propriétés structurales et optiques. Découvert par F.J. Morin en 1959, ce matériau est depuis largement étudié pour la compréhension des mécanismes mis en jeu lors de cette transition mais aussi pour ses nombreuses applications potentielles (vitrages intelligents, commutateurs optiques, filtres, antennes reconfigurables, …).

Dans ce contexte, l’objectif de ce stage, est d’exploiter les propriétés du dioxyde de vanadium pour réaliser des dispositifs RF de puissance en vue d’applications antennaires.

Dans un premier temps, les films de VO2 seront déposés par la technique d’ablation par laser pulsé (PLD) et caractérisés avec les différentes techniques disponibles au laboratoire : diffraction de RX, microscopies MEB et AFM, spectroscopie Raman. La transition IMT sera observée grâce aux variations des propriétés électriques mais aussi par les changements des propriétés optiques. 

Ensuite, les dispositifs RF seront fabriqués en utilisant les moyens de micro- et nanofabrication  en salle blanche: photolithographie, gravure, métallisation…. On portera l’attention plus particulièrement à certaines étapes du procédé de fabrication dans le but d’optimiser les performances du dispositif final.

 Un des défis de ce stage consiste au développement d’un procédé de fabrication pour des composants de puissance qui soit compatible avec les contraintes imposées par le matériau lui-même.

Innovation, passion, ambition : rejoignez Thales et créez le monde de demain, dès aujourd’hui.